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首頁 NDK晶振

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振

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產(chǎn)品簡介

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振,日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動 : Max. 100fs @156.25MHz;為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時鐘。差分晶振常用于高精度的時鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲器和精密儀器等。它的優(yōu)點包括低相位噪聲、低抖動和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對時鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號,差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見的是貼片差分晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。

產(chǎn)品詳情

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LH-1LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振

差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號,差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見的是差分貼片晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該2016晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動 : Max. 100fs @156.25MHz;為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時鐘。差分晶振常用于高精度的時鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲器和精密儀器等。它的優(yōu)點包括低相位噪聲、低抖動和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對時鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。

LH-2LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振

規(guī)格 符號 單位
額定頻率 fnom 100 ≦ F ≦ 170 MHz
尺寸大小 (L×W×H) - 2.0×1.6×0.7 mm
電源電壓 Vcc 2.5/3.3 V
消耗電流(工作時) ICC Max. 60 mA
消耗電流(斷開時) IST Max. 300 μA
輸出規(guī)格 - LVPECL -
負(fù)載電容 CL 50 Ω
儲存溫度范圍 Tstr -55 to +125
工作溫度范圍 Topr -40 to +85 -40 to +105
綜合頻率允許偏差 Δf/fnom Max. ±50 ppm
輸出電壓 VOL Max. VCC-1.5 V
輸出電壓 VOH Min. VCC-1.1 V
上升時間,下降時間 tr/tf Max. 0.5 ns
波形對稱 SYM 45 to 55 %
起振時間 tsu Max. 10 ms
相位抖動 tpj Max. 100 fs
規(guī)格料號 (Vcc=2.5V) - NSC5438A NSC5441A -
規(guī)格料號 (Vcc=3.3V) - NSC5438B NSC5441B -
NP2016SA 2016 GGS

LH-3LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振

NP2016SA 2016

LH-4LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振

所有晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

LH-6

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