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KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶體振蕩器

頻率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶體振蕩器

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頻率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術
參數資料

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KDS晶振,DSO751SR晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO751SR晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.2~167MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO533SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO533SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.2~167MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,貼片型普通有源晶振

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,貼片型普通有源晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶體振蕩器

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶體振蕩器

頻率:1.5625~100...
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

頻率:3.5~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520貼片有源晶振

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

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