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當前位置: 首頁 » 貼片晶振
KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶體振蕩器

頻率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

Abracon晶振,SMD晶振,ABC2晶振,ABC2-16.000MHZ-4-T晶振

Abracon晶振,SMD晶振,ABC2晶振,ABC2-16.000MHZ-4-T晶振

頻率:3.5~70MHZ
尺寸:11.8*5.5mm pdf 晶振技術
參數資料
  小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品
KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,貼片型普通有源晶振

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,貼片型普通有源晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520貼片有源晶振

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSX211A/DSX211AL晶振,無源貼片晶振

KDS晶振,DSX211A/DSX211AL晶振,無源貼片晶振

頻率:24~50MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSX840GT/DSX840GK晶振,壓電晶體諧振器

KDS晶振,DSX840GT/DSX840GK晶振,壓電晶體諧振器

頻率:4~40MHz
尺寸:8.0×4.5mm pdf 晶振技術
參數資料

陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

KDS晶振,DSX630G晶振,陶瓷封裝晶振

KDS晶振,DSX630G晶振,陶瓷封裝晶振

頻率:8~80MHz
尺寸:6.0×3.5mm pdf 晶振技術
參數資料

陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

KDS晶振,DSX531S晶振,無源貼片晶振

KDS晶振,DSX531S晶振,無源貼片晶振

頻率:10~70MHz
尺寸:4.9×3.1mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSX321SL晶振,3225無源晶振

KDS晶振,DSX321SL晶振,3225無源晶振

頻率:13~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSX220G晶振,陶瓷面貼片晶振

KDS晶振,DSX220G晶振,陶瓷面貼片晶振

頻率:12~64MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.

KDS晶振,DST621晶振,貼片石英晶振

KDS晶振,DST621晶振,貼片石英晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:6.0×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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