在眾多的頻率元件制造商中,來自美國的Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗(yàn).所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲,歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計(jì)創(chuàng)新,價(jià)格競爭有優(yōu)勢,訂貨交期時(shí)間短在業(yè)界具有較好的聲譽(yù).

不時(shí)要求我們推薦電源去耦和布局的解決方案.本應(yīng)用筆記將通過提供提供良好結(jié)果的解決方案和關(guān)于可能產(chǎn)生不良結(jié)果的解決方案的警告來解決這些問題.

Pletronics晶振的設(shè)計(jì)和測試符合最高質(zhì)量和性能標(biāo)準(zhǔn).隨著電源電壓和溫度的變化,我們的振蕩器將滿足其規(guī)格.然而,振蕩器電源輸入端的噪聲會(huì)降低抖動(dòng)和相位噪聲性能.為了獲得最佳性能,最好在振蕩器之前將高頻元件從電源上去耦.

電源旁路設(shè)計(jì)從低阻抗電源和接地連接開始.這最好由包含內(nèi)部電源和接地層的多層印刷電路板來提供.包括大容量電源旁路電容,以減少電源紋波并提高電源浪涌能力.目標(biāo)應(yīng)用板上的任何地方都可能存在大容量旁路電容.

與體旁路電容不同,振蕩器的高頻旁路電容盡可能靠近振蕩器放置.圖1顯示了Pletronics振蕩器的典型旁路配置.圖1所示的電容值可用于所有產(chǎn)品系列.

關(guān)于電容器,需要補(bǔ)充一些意見.環(huán)境影響評(píng)價(jià)將電容器分為四類.第一類是最穩(wěn)定的,包括零溫度系數(shù)NPO電容,用于分立晶體應(yīng)用中的負(fù)載電容.第四類雖有規(guī)定,但不常見.二級(jí)和三級(jí)是最常用的.對(duì)于振蕩器旁路應(yīng)用,Pletronics建議至少使用X5R電容.該類電容額定溫度范圍為-55℃至+80℃,在該溫度范圍內(nèi)具有出色的漂移特性,出色的高頻特性和良好的體積效率.表1總結(jié)了常見的EIA二類和三類電容器的特性

除了圖1所示的旁路電容網(wǎng)絡(luò),一些設(shè)計(jì)人員還在振蕩器和電源之間插入串聯(lián)阻抗,以創(chuàng)建低通濾波器,從而進(jìn)一步隔離振蕩器.這個(gè)簡單濾波器的截止頻率由下式給出

增加的阻抗,無論是電阻性的還是電感性的,都可以與正常的容性旁路網(wǎng)絡(luò)串聯(lián),或者置于兩個(gè)旁路電容之間.這些連接如圖2所示.

每當(dāng)電阻器與電源串聯(lián)時(shí),都必須小心.與電源串聯(lián)的電阻值非常小,足以將VCC降至振蕩器的VCCmin以下.數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定了Pletronics振蕩器的最大電流值,范圍從我們的一些32.768K千赫實(shí)時(shí)時(shí)鐘振蕩器的5uA到更高頻率LVPECL振蕩器的90mA.表2提供了ICC,VCC和電源容差組合的最大電阻值

在電源和振蕩器之間插入串聯(lián)鐵氧體磁珠也是可以接受的.設(shè)計(jì)者應(yīng)選擇低品質(zhì),非諧振鐵氧體磁珠(也稱為損耗磁珠或吸收磁珠).高品質(zhì)鐵氧體磁珠或電感可以利用旁路和寄生電容產(chǎn)生諧振回路.為該應(yīng)用選擇鐵氧體磁珠時(shí),必須考慮磁珠的DC電阻.DC電阻為1歐姆或更大并不少見.

引線長度和印刷電路板布局是實(shí)現(xiàn)最佳性能的重要考慮因素.圖3顯示了緊密間隔,接地層的使用和并聯(lián)電容去耦.

Pletronics公司歷史

Pletronics投資石英晶體技術(shù),為需要頻率控制設(shè)備的用戶提供最新的大批量產(chǎn)品.Pletronics已成立合資企業(yè)和子公司,以提供最高頻率,最高質(zhì)量的零件.

2016年-開發(fā)OGMTCXO

2015年-開發(fā)了OeM8/OeS8改進(jìn)的TCVCXO振蕩器

2014年-開發(fā)超低噪聲PECL/LVDS/HCSL振蕩器

2013年-開發(fā)GypSync™TCXO模塊

2011年-開發(fā)出LC振蕩器技術(shù)振蕩器

2010年-推出低功耗OeXO系列產(chǎn)品,TCVCXO替代許多OCXO應(yīng)用擴(kuò)展TCVCXO的生產(chǎn)和測試能力

2009年-推出用于FemtoCell和PicoCell頻率控制的超精密TCXO,+/-0.1ppmTCVCXO.

2008年-在日本開設(shè)的合資企業(yè)運(yùn)營增加了高頻CMOS,LVDS和PECL產(chǎn)品的電容器.與AXTALGmbH＆Co.KG建立合作關(guān)系,以支持他們在美洲的OCXO,Langasite和Langatate坯料和晶圓.推出高穩(wěn)定性CMOSTCXO.

2007年-開始開發(fā)低成本OCXO晶振,特別是FemtoCell和PicoCell頻率控制解決方案開始為醫(yī)療領(lǐng)域開發(fā)專門構(gòu)建的振蕩器和VCXO.

2006年-推出LV9/PE9/VPU7/VLU7LVDS和PECL時(shí)鐘振蕩器以及VCXO.首批1GHzPECL5x7mm振蕩器出貨.

2006年-將完成開發(fā)用于高頻PECL和LVDS時(shí)鐘振蕩器和VCXO的新ASIC.

2005年-高頻率和低抖動(dòng)

使用電子技術(shù)提供高頻率的第一個(gè)高頻（106.25MHz和212.5MHz）低抖動(dòng)和低成本LVDS和PECL振蕩器已批量出貨.Pletronics為這兩項(xiàng)代工廠提供了支持我們客戶需求的技術(shù).重組了公司的代表,以提供額外的客戶設(shè)計(jì)和應(yīng)用支持

2004年-與大韓民國的鑄造廠建立合資企業(yè)

當(dāng)使用電子倍增方案的高頻解決方案在經(jīng)濟(jì)上可行時(shí),HFF產(chǎn)品開發(fā)已經(jīng)結(jié)束

2003年-在新加坡和香港開設(shè)國際支持中心

2002年-由BSI注冊為ISO9001：2000

2001年-開始開發(fā)“倒置臺(tái)面”高頻基波(HFF)晶體產(chǎn)品

目標(biāo)是能夠制造300MHz以上的基本模式AT切割晶體.開始制造PECL和LVDS振蕩器

2000年-Namhan工廠出售

當(dāng)Pletronics的產(chǎn)品組合發(fā)生變化時(shí),鑄造廠被出售,升級(jí)設(shè)施是不切實(shí)際的.此外,當(dāng)韓國提高勞動(dòng)力率時(shí),需要增加自動(dòng)化.用于制造微型陶瓷器件的"在線"自動(dòng)化制造模型意味著獨(dú)立的合同設(shè)施更能滿足Pletronics的需求.

1998年-Bekly公司關(guān)閉并整合到Pletronics.

當(dāng)塑料J鉛包不再滿足客戶需求時(shí),該設(shè)施終止.封裝太高,長引線不能滿足不斷增加的帶寬要求.

1997年-與AvanceInc.和SaronixInc.的合資企業(yè)被終止.

“tabmesa”晶體的生產(chǎn)成本不符合Pletronics的產(chǎn)品需求.

1996年-由BSI注冊為ISO9001-1994

1995年-被華盛頓州認(rèn)證為少數(shù)股權(quán)企業(yè).

1989年-與AvanceInc和SaronixInc.

成立合資公司.該合資公司的目的是開發(fā)一種可以批量生產(chǎn)的高頻石英晶振.這項(xiàng)合作促成了“tabmesa”高頻基礎(chǔ)晶體的發(fā)展.

1988年-BeklyCorporation成為Pletronics的全資子公司.

位于太平洋西北地區(qū)的半自動(dòng)化設(shè)施,用于制造小型腳印振蕩器,專門用于塑料模塑零件

1983年-在大韓民國開設(shè)了一家獨(dú)資鑄造廠(Namhan)

建立了生產(chǎn)高端振蕩器的工廠.主要是一個(gè)DIP包裝工廠

1979年-Pletronics在美國華盛頓州注冊成立