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艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

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瀏覽:- 發布日期:2022-07-30 18:46:17【
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隨著超過一億的物聯網和可穿戴設備出貨量落后于我們,根本原因現在已經眾所周知。為了節省電力,IC 設計人員降低了驅動 32.768kHz 石英晶體的皮爾斯振蕩器的跨導 (gm)。通過減小 gm,電路的驅動力不可避免地被削弱了。皮爾斯振蕩器最終會在驅動具有較重電容負載的傳統電鍍SMD無源晶體時遇到麻煩。新的低功耗 MCU 可能會在驅動幾個額外的皮法電容時遇到麻煩。額外的負載限制了設計中的余量,尤其是在考慮所有工藝角和整個工作溫度范圍時。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

ABM8-16.800MHZ-10-1-U-T Abracon晶振 ABM8 MHz Crystal 16.8MHz
ABM3B-32.000MHZ-B2-T Abracon晶振 ABM3B MHz Crystal 32MHz
ABM8G-13.000MHZ-18-D2Y-T Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 13MHz
ABM8G-40.000MHZ-18-D2Y-T Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 40MHz
ABM8G-33.000MHZ-18-D2Y-T Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 33MHz
ABS05-32.768KHZ-T Abracon晶振 ABS05 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz
ABM10-16.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 16MHz
ABM3-9.8304MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 9.8304MHz
ABM3-11.2896MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 11.2896MHz
ABM3B-16.384MHZ-10-1-U-T Abracon晶振 ABM3B MHz Crystal 16.384MHz
ABM3-48.000MHZ-D2Y-F-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 48MHz
ABM3B-48.000MHZ-10-1-U-T Abracon晶振 ABM3B MHz Crystal 48MHz
ABM3B-12.288MHZ-10-1-U-T Abracon晶振 ABM3B MHz Crystal 12.288MHz
ABM3-20.000MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 20MHz
ABM3-32.000MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 32MHz
ABM3-50.000MHZ-D2Y-F-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 50MHz
ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 24MHz
ABM3-22.1184MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3 MHz Crystal 22.1184MHz
ABLS2-40.000MHZ-D4YF-T Abracon晶振 ABLS2 MHz Crystal 40MHz
ABLS-LR-13.000MHZ-T Abracon晶振 ABLS-LR MHz Crystal 13MHz
ABLS-LR-6.144MHZ-T Abracon晶振 ABLS-LR MHz Crystal 6.144MHz
ABLS-LR-16.9344MHZ-T Abracon晶振 ABLS-LR MHz Crystal 16.9344MHz
ABM10-22.1184MHZ-E20-T Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 22.1184MHz
ABLS-LR-25.000MHZ-F-T Abracon晶振 ABLS-LR MHz Crystal 25MHz
ABLS-LR-11.0592MHZ-T Abracon晶振 ABLS-LR MHz Crystal 11.0592MHz
ABM10-16.384MHZ-E20-T Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 16.384MHz

2012 年,大多數32.768K音叉晶體經過鍍層后的 CL 約為 9pF。傳統上,皮爾斯振蕩器電路的 gm 可以克服這種電鍍負載并維持振蕩,但這一切都改變了。MCU 現在需要鍍層負載遠低于以往設想的晶體。解決方案是采用新的電鍍設計,實現 6pF 的 CL,降低 33%。

等效串聯電阻 (ESR) 和并聯電容 (C0) 的組合也影響了皮爾斯振蕩器感知的負載。ESR 和 C0 必須與 CL 一起同時降低。考慮到 ESR 和 CL 是石英電鍍設計中唯一可優化的參數,執行新的低負載水平需要先進的工程和世界級的制造。嚴格的要求迫使許多供應商避免變更或冒險失敗。由于晶體與 MCU 的 Pierce 振蕩器之間的不匹配,可穿戴設備行業即將面臨危機——很明顯,現有無源晶振并未針對物聯網應用進行優化。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

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