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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全,提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振!
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ILSI晶振,壓控晶振,I640晶振

頻率:1-250MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.


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ILSI晶振,壓控晶振,I640晶振小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

     石英晶振真空退火技術(shù):貼片晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,陶瓷諧振器通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。

ILSI晶振

單位

晶振參數(shù)

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

1-250MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-50°C to +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

100 µW Max

推薦:1μW ~ 100μW

頻率公差

f_— l

±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.0597lc.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF to 32pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +125°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

六腳貼片晶振,進(jìn)口晶振,I640晶振

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)

(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。六腳貼片晶振,進(jìn)口晶振,I640晶振

(2)陶瓷包裝石英晶振

在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。六腳貼片晶振,進(jìn)口晶振,I640晶振

(3)柱面式產(chǎn)品

產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

ILSI晶振,壓控晶振,I640晶振

       ILSI晶振為了削減事業(yè)活動(dòng)中排放的碳排放總量,提出了5032石英晶振防止地球變暖的方針,為了達(dá)成目標(biāo),組織起防止地球變暖委員會(huì),包括從產(chǎn)品與生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計(jì)、開發(fā)階段到生產(chǎn)工序的削減對(duì)策在內(nèi),由ILSI晶振集團(tuán)整體持續(xù)不斷地推進(jìn)全公司上下有組織的活動(dòng)。

        隨著事業(yè)的成長(zhǎng),碳排放呈現(xiàn)增加的趨勢(shì),但是ILSI將繼續(xù)推進(jìn)由防止地球變暖特別委員會(huì)開展的活動(dòng),作為活動(dòng)主體的事業(yè)所,通過(guò)橫向開展6腳5032振蕩器改進(jìn)能源效率的措施、與積極實(shí)施性價(jià)比較高的節(jié)能措施,為削減ILSI集團(tuán)整體的碳排放總量而努力。六腳貼片晶振,進(jìn)口晶振,I640晶振

        ILSI石英晶振符合 ISO 9001和ISO 14001認(rèn)證,ILSI嚴(yán)格遵守質(zhì)量和環(huán)保性能的需求.隨著數(shù)字網(wǎng)絡(luò)在全球范圍內(nèi)的普及,進(jìn)口小體積有源晶振石英晶體組件將履行更為關(guān)鍵的作用.我們將著手解決發(fā)展下一代有價(jià)值的部件的挑戰(zhàn).我們?nèi)匀恢铝τ跒槲覀兊墓蓶|,企業(yè)合作伙伴,社區(qū)和員工更大的利益相關(guān)者的滿意度.通過(guò)企業(yè)管理,值得普遍尊重,我們努力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)經(jīng)營(yíng),豐富社會(huì).

ILSI晶振,壓控晶振,I640晶振

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壓控溫補(bǔ)晶振具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V)高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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