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首頁(yè) IDTcrystal晶振

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

產(chǎn)品詳情

LH-1IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器,IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無(wú)線(xiàn)電源及智能傳感器方面的市場(chǎng)導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域混合信號(hào)完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售場(chǎng)所和經(jīng)銷(xiāo)合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案,例如處理器和內(nèi)存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器適用于各種汽車(chē)應(yīng)用,包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門(mén)定時(shí)、液位測(cè)量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)。

LH-2

項(xiàng)目

符號(hào)

XLH晶振晶振規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

0.75MHz to 250MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://m.0597lc.cn/

H: -40to +105

J: -40to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

LH-3

XLH 5032 HCMOS

LH-4晶振使用注意事項(xiàng)
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英貼片晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致無(wú)源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致壓電石英晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

LH-5IDT 晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念:
IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來(lái)解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售擁有最有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿(mǎn)足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振
采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開(kāi)發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作
無(wú)論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過(guò)程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問(wèn)題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)
以公開(kāi)和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,7050晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

LH-6

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