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Vectron晶振,石英晶振,OX-403晶振

頻率：10.0-25.0MHZ

尺寸：20.7*13.1mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：0755-29952551

維管晶振,貼片晶振,OX-403晶振，小型石英晶振,外觀尺寸為石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

貼片晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

Vectron晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10.0-25.00MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.0597lc.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

貼片石英晶振,石英晶體振蕩器,OX-403晶振

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法：

調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。

如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。

試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。

請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。

頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。

晶振具有多種振動模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因為電路的環(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。

該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。