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6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振

頻率：200MHZ

尺寸：5.00mmx3.20mm

6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振，尺寸5.00mmx3.20mm，頻率為200MHZ，輸出邏輯LVPECL，電壓3.3V ，腳位 6-SMD，XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），LVPECL差分振蕩器，差分晶振，貼片差分晶振，5032mm差分晶振，有源晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，OSC晶振，石英差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，低功耗差分晶振，電信專用差分晶振，交換機(jī)差分晶振，路由器差分晶振，光纖通道差分晶振，產(chǎn)品很適合用于SONET/SDH/OTN，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機(jī)/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等。

Si510/511 XO有源石英晶振采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL技術(shù)以提供從100kHz到250MHz的任何頻率。與傳統(tǒng)XO不同其中每個(gè)輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個(gè)固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器，以生成該范圍內(nèi)的任何頻率。此IC基于該方法允許晶體諧振器提供增強(qiáng)的可靠性，改進(jìn)的機(jī)械堅(jiān)固性和優(yōu)異的穩(wěn)定性.6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振.




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Abracon-2

LH-1

6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振，尺寸5.00mmx3.20mm，頻率為200MHZ，輸出邏輯LVPECL，電壓3.3V ，腳位 6-SMD，XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），LVPECL差分振蕩器，差分晶振，貼片差分晶振，5032mm差分晶振，有源晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，OSC晶振，石英差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，低功耗差分晶振，電信專用差分晶振，交換機(jī)差分晶振，路由器差分晶振，光纖通道差分晶振，產(chǎn)品很適合用于SONET/SDH/OTN，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機(jī)/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等。

Si510/511 XO有源石英晶振采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL技術(shù)以提供從100kHz到250MHz的任何頻率。與傳統(tǒng)XO不同其中每個(gè)輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個(gè)固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器，以生成該范圍內(nèi)的任何頻率。此IC基于該方法允許晶體諧振器提供增強(qiáng)的可靠性，改進(jìn)的機(jī)械堅(jiān)固性和優(yōu)異的穩(wěn)定性.6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振.LH-2

6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振     參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency FO CMOS, Dual CMOS 0.1 — 212.5 MHz
FO LVDS/LVPECL/HCSL 0.1 — 250 MHz
Total Stability* Frequency Stability Grade C –30 — +30 ppm
Frequency Stability Grade B –50 — +50 ppm
Frequency Stability Grade A –100 — +100 ppm
Temperature Stability Frequency Stability Grade C –20 — +20 ppm
Frequency Stability Grade B –25 — +25 ppm
Frequency Stability Grade A –50 — +50 ppm
Startup Time TSU Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification 		— — 10 ms
Disable Time TD FO> 10 MHz — — 5 µs
FO< 10 MHz — — 40 µs
Enable Time TE FO> 10 MHz — — 20 µs
FO< 10 MHz — — 60 µs
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
CMOS Output Logic
High 		V OH 0.85 x V DD — — V
CMOS Output Logic
Low 		VOL — — 0.15 x V DD V
CMOS Output Logic
High Drive 		I OH 3.3 V –8 — — mA
2.5 V –6 — — mA
1.8 V –4 — — mA
CMOS Output Logic
Low Drive 		I OL 3.3 V 8 — — mA
2.5 V 6 — — mA
1.8 V 4 — — mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD) 		TR/T F 0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF 		0.45 0.8 1.2 ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load 		0.3 0.6 0.9 ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 565 ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 470 ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 350 — 800 ps
LVPECL Output
Common Mode 		VOC 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		— V DD –
1.4 V 		— V
LVPECL Output Swing VO 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		0.55 0.8 0.90 VPPSE
LVDS Output Common
Mode 		VOC 100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V 		1.13 1.23 1.33 V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V 0.83 0.92 1.00 V
LVDS Output Swing VO Single-ended, 100 Ω differential
termination 		0.25 0.35 0.45 VPPSE
HCSL Output Common
Mode 		VOC 50 Ω to ground 0.35 0.38 0.42 V
HCSL Output Swing VO Single-ended 0.58 0.73 0.85 VPPSE
Duty Cycle DC All formats 48 50 52 %
LH-3

Abracon-1

6G轉(zhuǎn)換機(jī)晶振 511ABA200M000BAG Silicon振蕩器 Si511低抖動(dòng)差分晶振     尺寸圖Si510 Si511

OSC晶振產(chǎn)品特性：

支持來自的任何頻率

100千赫至250兆赫

低抖動(dòng)操作

2至4周交付周期

總體穩(wěn)定性包括10年變老

用于電源的片上LDO穩(wěn)壓器

電源噪聲濾波

3.3、2.5或1.8 V操作

差分（LVPECL、LVDS、HCSL）或CMOS輸出選項(xiàng)

可選集成1:2 CMOS

扇出緩存

OE和接通電源

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7、3.2 x 5、和2.5 x 3.2毫米封裝

無鉛，符合RoHS

 –40至85℃操作Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相關(guān)Silicon晶振型號(hào)

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號(hào) Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
511ABA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA155M520BAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110BAG Silicon Labs Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110BAG Silicon Labs Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510BBA155M520BAG Silicon Labs Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520AAG Silicon Labs Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110AAG Silicon Labs Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110AAG Silicon Labs Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA155M520AAG Silicon Labs Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500AAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510FBA212M500BAG Silicon Labs Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA212M500BAG Silicon Labs Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAG Silicon Labs Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000BAG Silicon Labs Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
510ABA212M500AAG Silicon Labs Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500AAG Silicon Labs Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAG Silicon Labs Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAG Silicon Labs Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAG Silicon Labs Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510EBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
510ACA47M2500AAG Silicon Labs Si510 47.25MHz 3.3V ±20ppm
530AC106M250DG Silicon Labs Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DG Silicon Labs Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC106M250DG Silicon Labs Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530BC106M250DG Silicon Labs Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC187M500DG Silicon Labs Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DG Silicon Labs Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC187M500DG Silicon Labs Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Silicon Crystal Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
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